使通信芯片实现微型化的另一种有效的途径，是在半导体通信芯片制造工艺中采用更先进的光刻技术，科学家们让光透过掩膜形成一个影像，利用透镜使这个影像缩小，并且巧妙地利用这种投影光，把芯片电路的轮廓投射到涂有一层硅的光刻胶上面，通过对透镜的改进，缩短光的波长，并且改进光阻材料，就可以把芯片电路蚀刻得更加细致入微，更加，从而制造出集成度更高、体积更小的通信芯片，使用这种芯片的移动通信设备将变得更加便携。

第三代移动通信正在崛起，3G与代以及第二代移动通信技术的不同，在于3G需要面向Internet和数据通信。因此，对新一代的手机IC芯片提出了更好的要求，要求手机IC芯片具有更强大的数据存储和数据处理能力，必需拥有更广阔的存储空间，用来存储从网上下载的各种数据信息。此外，还要求新一代手机中被处理的信息不再仅仅是语音和指令，而是更复杂的多媒体信息，因此，要求新一代手机IC芯片必需拥有更高速的数据处理能力，要求其速度快如闪电。

蓝色巨人IBM和北方电讯(Nortel) 公司的科学家们还联合研制出了一款制造材料既非硅、也非锗的新型芯片，这就是SiGe芯片，它是由硅(Si)和锗(Ge)两种材料的混合物制造而成的，称为SiGe混合物半导体芯片。 根据这两家公司的合作协议，Nortel公司负责为几种高速通信应用程序专门设计这种新型SiGe芯片，而IBM公司则负责专门生产这种芯片。 这种SiGe芯片是目前其他一些非硅半导体芯片诸如砷化镓芯片的有益的补充，SiGe芯片能够有力地支持研发更复杂、高速的通信新产品。与砷化镓芯片比较，SiGe芯片有着其明显的优势，SiGe芯片的集成度更高，体积更小，功耗也更少。此外，SiGe芯片还有一个突出的优点，它可以用现有的硅芯片生产设备进行加工，而不必另外添置其它的加工设备，从而能够有效地降低生产成本，与其他的非硅芯片更具有价格优势。

美国密执安大学工程学院在近研制成功一种新型光学芯片，这种芯片可以大大增加数据高速公路的信息容量，使上网用户获益匪浅。这种芯片是目前高速光电子信号检测的世界纪录保持者，它可以接收速度高达24Mbps的以激光脉冲传输的数据，而目前绝大多数同类产品能够处理的数据传输速度，仅为11兆位/秒。这所工程学院新推出的光学芯片，在同一种半导体叠层中集成了光检测仪和放大装置，不必采用会增加混合光感接收器制造成本的连接电线。这种芯片的电路包括一个可检测输入光束的P 型光电二极管和一个放大高速信号的异结双极晶体管。这种芯片是在密执安大学固态电子实验室采用一种半导体工业常用的单步分子束外延生长工艺研制成功的。虽然目前这种光学芯片的成本还比较高，但是，一旦这种制造技术实现了标准化，那么，光学芯片的成本和价格就会大大降低，届时，光学芯片就会在电子业界和通信业界得到广泛的应用。